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11月5日下午，2025年秋季学期《名师导学》课程如期举行。本次讲座特邀麻豆视频 电子科学与工程学院余林蔚教授。余教授以“面向三维集成和算力需求的微纳增材制造”为主题，为同学们带来了一场精彩的学术报告。
余林蔚教授是国家杰出青年科学基金获得者，入选国家海外高层次人才青年计划、江苏省杰出青年基金等多项人才计划。他曾任法国国家科学研究院（CNRS）终身研究员（CR2），现担任英国物理学会旗下《Nanotechnology》期刊编委，以及国际非晶/纳米晶薄膜半导体会议（ICANS）常设国际顾问委员会委员。余教授长期致力于硅基纳米线生长制备与器件集成应用研究，他主持包括国家自然科学基金“后摩尔时代重大研究计划”项目、国家科技重大专项课题等多项科研任务，并与华为终端、海思、京东方等企业开展多项重大产学研合作，推动相关科技成果转化。
本次讲座系统梳理了硅基材料与集成电路技术的发展现状，并重点介绍了其课题组在纳米线生长与三维集成方面的创新突破，为后摩尔时代的算力突围提供了全新思路。
余林蔚教授从“后摩尔时代”的发展趋势切入，指出尽管传统摩尔定律面临物理极限，但晶体管微缩与集成密度提升仍在持续推进。他强调，硅基材料作为当前信息社会不可或缺的基础，依然是支撑算力发展的核心平台。随着人工智能、量子计算等新兴技术对算力需求的爆发式增长，如何在不依赖极紫外光刻等“卡脖子”装备的前提下，实现更高密度、更低功耗的集成电路，成为我国微电子技术自主发展的关键课题。
讲座中，余教授重点介绍了他与其团队历经16年探索的“IPSLS”（固-液-固诱导平面纳米线生长）技术。该技术通过模拟自然界“生长”的方式，在低温（低至300℃）条件下，实现高质量、晶圆级、可定位的硅纳米线制备。与传统“自上而下”的光刻工艺不同，该技术属于“自下而上”的增材制造，具备工艺简单、成本低、可柔性集成等优势。
尤为引人注目的是，该技术目前已实现6纳米线宽的精准控制，并成功构建出全包围栅极结构，性能媲美主流5纳米工艺。在此基础上，团队进一步开发出多层、高密度的三维垂直纳米线阵列，为未来三维集成电路的发展提供了可行的技术路径。在谈到技术突围的意义时，余教授引用了华为高管“中国科技枝繁叶茂，但没有根”的警句，并指出，其团队所探索的正是这样一条“从根部生长”的自主技术路线——不依赖高端光刻机，而是从材料生长机理出发，构建具有完全自主知识产权的集成技术平台。
整场讲座既有对产业宏观趋势的把握，也有对底层技术创新的深刻洞察。余林蔚教授以其团队扎实的科研积累和持续的创新实践，为在场师生描绘了一幅充满希望的“后摩尔时代”微电子技术发展图景，极大地激发了同学们对半导体材料与集成技术的研究热情。不仅拓展了学生的学术视野，更坚定了大家投身基础研究、攻克关键核心技术、服务国家战略需求的信心与决心。
图/文：王舒琪、金炬鑫
审核：董昊
